|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
001 |
BY-NLB-rr23321140000 |
005 |
20161112151557.0 |
010 |
# |
# |
$d 2 р. 90 к.
|
100 |
# |
# |
$a 20071112d1991 y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
200 |
1 |
# |
$a Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло
$f Л. Н. Александров, Р. В. Бочкова. А. Н. Коган, Н. П. Тихонова
$g Отв. ред. С. И. Стенин
$g АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
|
210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$c Наука. Сиб. отд-ние
$d 1991
|
215 |
# |
# |
$a 167 с.
$c ил.
|
300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 150-162 (257 назв.). - Указ. предм., авт.: с. 163-166
|
345 |
# |
# |
$9 890 экз.
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1659663
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
610 |
0 |
# |
$a Монте - Карло метод
|
675 |
# |
# |
$a 539.216.2:537.311.322:519.245
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071112
$g psbo
|