|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
001 |
BY-NLB-rr23304990000 |
005 |
20071112142102.0 |
010 |
# |
# |
$b В пер.
$d 1 р. 29 к.
|
021 |
# |
# |
$a RU
$b [67-53646]
|
100 |
# |
# |
$a 20071112d1967 y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a LV
|
200 |
1 |
# |
$a Многослойные полупроводниковые структуры
$f АН Латв. ССР. Физ.-энерг. ин-т
$g [Отв. ред. И. А. Фелтынь]
|
210 |
# |
# |
$a Рига
$c Зинатне
$d 1967
|
215 |
# |
# |
$a 287 с.
$c илл.
$d 22 см
|
300 |
# |
# |
$a Авт. глав.: Р. Калныня, У. Эртелис, Э. Клотыньш и др. Библиогр. в конце глав
|
345 |
# |
# |
$9 2000 экз.
|
610 |
0 |
# |
$a Полупроводники многослойные
|
675 |
# |
# |
$a 621.382.8+[016.3]
|
702 |
# |
1 |
$a Фелтинь
$b И. А.
$g Имант Атович
$4 340
|
711 |
0 |
2 |
$a Физ.-энерг. ин-т. Рига
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071112
$g psbo
|