|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr23190760000 |
| 005 |
20071112144812.0 |
| 010 |
# |
# |
$b В пер.
$d 1 р. 32 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [61-74433]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20071112d1961 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Методы измерения параметров полупроводниковых приборов
$e Пер. с англ.
$f Под ред. канд. физ.-мат. наук М. И. Иглицына
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$c Оборонгиз
$d 1961
|
| 215 |
# |
# |
$a 263 с.
$c черт.
$d 23 см
|
| 300 |
# |
# |
$a На переплете: Полупроводниковые материалы и приборы
|
| 300 |
# |
# |
$a Доп. тит. л.: Transistor technology. Ed. by H. E. Bridgers a. o. Princeton a. o., Nostrand со., 1958. Библиогр. в конце глав
|
| 345 |
# |
# |
$9 15000 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводниковые приборы - Параметры - Измерение
|
| 702 |
# |
1 |
$a Иглицын
$b М. И.
$4 340
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071112
$g psbo
|
