Кристаллическая структура и фазовые превращения в TlInS₂, TlGaSe₂ / В. А. Алиев, Э. Ф. Багирзаде, Г. Д. Гусейнов, Н. З. Гасанов
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Опубликовано: | Баку , 1987 |
Физические характеристики: |
54 с.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Препр.
№ 212 |
Предмет: |
00000cam0a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr22413280000 | ||
005 | 20180118152932.0 | ||
010 | # | # | $d Б. ц. |
021 | # | # | $a RU $b [87-34828] |
100 | # | # | $a 20071025d1987 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a AZ |
200 | 1 | # | $a Кристаллическая структура и фазовые превращения в TlInS₂, TlGaSe₂ $f В. А. Алиев, Э. Ф. Багирзаде, Г. Д. Гусейнов, Н. З. Гасанов |
210 | # | # | $a Баку $d 1987 |
215 | # | # | $a 54 с. |
225 | 2 | # | $a Препр. $f АН АзССР, Ин-т физики $v № 212 |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 49-54 (84 назв.) |
345 | # | # | $9 100 экз. |
610 | 0 | # | $a Полупроводники - Фазовые переходы |
675 | # | # | $a 537.311.322 |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071025 $g psbo |