Исследование локализованных состояний в монокристаллах InP и GaAs методами емкостной спектроскопии и фотолюминесценции / А. Н. Георгобиани, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, В. А. Урсу

Сохранено в:
Шифр документа: 109856,
Вид документа: Книги
Опубликовано: М. , 1986
Физические характеристики: 48 с. : рис.
Язык: Русский
Серия: Препр. Физика твердого тела № 56
00000cam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr21871700000
005 20160721095330.0
010 # # $d Б. ц. 
021 # # $a RU  $b [86-31174] 
100 # # $a 20071005d1986 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование локализованных состояний в монокристаллах InP и GaAs методами емкостной спектроскопии и фотолюминесценции  $f А. Н. Георгобиани, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, В. А. Урсу 
210 # # $a М.  $d 1986 
215 # # $a 48 с.  $c рис. 
225 2 # $a Препр. Физика твердого тела  $f АН СССР. Физ. ин-т им. В. И. Ленина, Лаб. люминесценция  $v № 56 
300 # # $a Библиогр.: с. 22-24 (35 назв.) 
345 # # $9 100 экз. 
675 # # $a 548.55:535.3 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071005  $g psbo