|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr21210470000 |
| 005 |
20160518134117.0 |
| 010 |
# |
# |
$d Беспл.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [86-14468]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20071009d1986 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a AZ
|
| 200 |
1 |
# |
$a Действие ускоренных электронов на время жизни и концентрацию носителей, заряда в Р-П переходе на основе Ge-Si
$f П. Г. Рустамов, А. К. Абиев, Р. В. Шахбазова, Э. А. Джафарова
|
| 210 |
# |
# |
$a Баку
$d 1986
|
| 215 |
# |
# |
$a 10 с.
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препр.
$f АН АзССР. Ин-т физики
$v № 166
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 9-10 (11 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 100 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Действие ионизирующих излучений
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071009
$g psbo
|
