Глубокие уровни в высокоомном P-Ge (Ga) / В. И. Гаврилюк, И. Г. Кирнас, П. Г. Литовченко и др.

Сохранено в:
Шифр документа: 283404,
Вид документа: Книги
Опубликовано: Киев : Ин-т ядер. исслед. АН УССР , 1988
Физические характеристики: 22 с.
Язык: Русский
Серия: Препр. КИЯИ-88-39
Предмет:
00000cam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr21101550000
005 20191114094542.0
010 # # $d 5 к. 
100 # # $a 20071005d1988 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Глубокие уровни в высокоомном P-Ge (Ga)  $f В. И. Гаврилюк, И. Г. Кирнас, П. Г. Литовченко и др. 
210 # # $a Киев  $c Ин-т ядер. исслед. АН УССР  $d 1988 
215 # # $a 22 с. 
225 2 # $a Препр.  $f АН УССР, Ин-т ядер. исслед.  $v КИЯИ-88-39 
300 # # $a На обл. авт. не указаны. - Библиогр.: с. 21-22 (17 назв.) 
345 # # $9 200 экз. 
610 0 # $a Германий 
675 # # $a 621.315.592 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071005  $g psbo