Влияние электрического поля на циклотронный резонанс в n-GaAS / Алекперов О. З., Голубев В. Г., Иванов-Омский В. И., Мехтиев А. Ш.

Сохранено в:
Шифр документа: М233785,
Вид документа: Книги
Опубликовано: Баку : Элм , 1983
Физические характеристики: 28 с. : черт.
Язык: Русский
Предмет:
00000nam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr20559710000
005 20070924162424.0
010 # # $d 15 к. 
021 # # $a RU  $b [83-37442] 
100 # # $a 20070924d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AZ 
200 1 # $a Влияние электрического поля на циклотронный резонанс в n-GaAS  $f Алекперов О. З., Голубев В. Г., Иванов-Омский В. И., Мехтиев А. Ш. 
210 # # $a Баку  $c Элм  $d 1983 
215 # # $a 28 с.  $c черт. 
300 # # $a В надзаг.: Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе АН СССР. Науч.-произв. об-ние косм. исслед. АН АзССР. Библиогр.: с. 27 (17 назв.) 
345 # # $9 200 экз. 
610 0 # $a Кристаллы 
610 0 # $a Электроны 
675 # # $a 548.0:537 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070924  $g psbo