|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr20554580000 |
| 005 |
20140214124523.9 |
| 010 |
# |
# |
$d 4 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [89-8068]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070924d1988 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a UA
|
| 200 |
1 |
# |
$a Влияние облучения быстрыми нейтронами на характеристики длинных p-i-n диодов
$f Анохин И. Е., Барабаш Л. И., Зинец О. С. и др.
|
| 210 |
# |
# |
$a Киев
$c ИЯИ
$d 1988
|
| 215 |
# |
# |
$a 20 с.
$c граф.
$d 20 см
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препр.
$f АН УССР, Ин-т ядер. исслед.
$v КИЯИ-88-45
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 20 (10 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 200 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Диоды полупроводниковые - Характеристики - Влияние облучения
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322:539.1.04
|
| 701 |
# |
1 |
$a Анохин
$b И. Е.
$g Игорь Евгеньевич
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070924
$g psbo
|
