|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
001 |
BY-NLB-rr20206240000 |
005 |
20191001154129.0 |
010 |
# |
# |
$a 5-03-000130-1
$b в пер.
$d 4 р. 90 к.
|
021 |
# |
# |
$a RU
$b [88-32750]
|
100 |
# |
# |
$a 20070925d1988 y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
200 |
1 |
# |
$a Арсенид галлия в микроэлектронике
$f [У. Уиссмен, У. Френсли, У. Дункан и др.]
$g Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена; Пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича
|
210 |
# |
# |
$a М.
$c Мир
$d 1988
|
215 |
# |
# |
$a 555 с.
$c ил.
$d 22 см
|
300 |
# |
# |
$a Авт. указаны на обороте тит. л. - Библиогр. в конце глав. - Предм.-имен. указ.: с. 548-552. - Перевод изд.: GaAs microelectronics (Orlando etc., 1985)
|
345 |
# |
# |
$9 4600 экз.
|
610 |
0 |
# |
$a Галлий, арсенид - Полупроводниковые свойства
|
610 |
0 |
# |
$a Микроэлектронные схемы
|
675 |
# |
# |
$a 621.382.049.77.002.3:546.681'193
|
701 |
# |
1 |
$a Уиссмен
$b У. Ф.
$g Уильям Ф
|
702 |
# |
1 |
$a Айнспрук
$b Н.
$4 340
|
702 |
# |
1 |
$a Мордкович
$b В. Н.
$4 340
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070925
$g psbo
|