Изучение приповерхностного переноса носителей заряда в Si и Ge в условиях контролируемого воздействия на межфазовую границу: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ387914,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Яфясов, А. М.
Опубликовано: Л. , 1980
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr19908320000
005 20070521140826.0
021 # # $a RU  $b [80-15516а] 
100 # # $a 20070521d1980 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Изучение приповерхностного переноса носителей заряда в Si и Ge в условиях контролируемого воздействия на межфазовую границу  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a Л.  $d 1980 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a В надзаг.: ЛГУ им. А. А. Жданова. Библиогр.: с. 19-20 (9 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Яфясов  $b А. М.  $g Адиль Маликович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070521  $g psbo