К теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / [МГУ]. Физ. фак.

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ241237,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ярцев, В. М.
Опубликовано: М. : Изд-во Моск. ун-та , 1974
Физические характеристики: 11 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr19891360000
005 20070521141142.0
021 # # $a RU  $b [74-12892а] 
100 # # $a 20070521d1974 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a К теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f [МГУ]. Физ. фак. 
210 # # $a М.  $c Изд-во Моск. ун-та  $d 1974 
215 # # $a 11 с. 
300 # # $a Список лит.: с. 11 (12 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Ярцев  $b В. М.  $g Вячеслав Михайлович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070521  $g psbo