К теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / [МГУ]. Физ. фак.
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Ярцев, В. М. |
Опубликовано: | М. : Изд-во Моск. ун-та , 1974 |
Физические характеристики: |
11 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr19891360000 | ||
005 | 20070521141142.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [74-12892а] |
100 | # | # | $a 20070521d1974 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a К теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f [МГУ]. Физ. фак. |
210 | # | # | $a М. $c Изд-во Моск. ун-та $d 1974 |
215 | # | # | $a 11 с. |
300 | # | # | $a Список лит.: с. 11 (12 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Ярцев $b В. М. $g Вячеслав Михайлович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070521 $g psbo |