|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
001 |
BY-NLB-rr19842210000 |
005 |
20160525110143.0 |
010 |
# |
# |
$b В пер.
$d 2 р.
|
021 |
# |
# |
$a RU
$b [86-16774]
|
100 |
# |
# |
$a 20070518d1985 y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a LT
|
200 |
1 |
# |
$a Самоформирование в полупроводниковой технологии
$d Self-formation in semiconductor technology
$f [АН ЛитССР, Ин-т физики полупроводников]
|
210 |
# |
# |
$a Вильнюс
$c Мокслас
$d 1985
|
215 |
# |
# |
$a 191, [1] с.
$c ил.
$d 22 см
|
300 |
# |
# |
$a Загл. также: литов. - Рез.: литов., англ. - Библиогр.: с. 184-189 (145 назв.)
|
345 |
# |
# |
$9 1000 экз.
|
510 |
1 |
# |
$a Self-formation in semiconductor technology
|
610 |
0 |
# |
$a Полупроводниковые приборы - Производство
|
610 |
0 |
# |
$a Микроэлектронные схемы интегральные - Производство
|
675 |
# |
# |
$a 621.382.049.77.002
|
700 |
# |
1 |
$a Янушонис
$b С. С.
$g Стяпас Стяпонович
|
701 |
# |
1 |
$a Янушонене
$b В. Ю.
$g Вида-Катрина Юлевна
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070518
$g psbo
|