Механизмы излучательной рекомбинации, обусловленные примесями в полупроводниковых соединениях типа A³B5 и A4B6: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук / МГУ им. М. В. Ломоносова, Физ. фак.
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Юнович, А. Э. |
| Опубликовано: | М. , 1989 |
| Физические характеристики: |
27 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||