Механизмы излучательной рекомбинации, обусловленные примесями в полупроводниковых соединениях типа A³B5 и A4B6: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук / МГУ им. М. В. Ломоносова, Физ. фак.

Сохранено в:
Шифр документа: 96669/89,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Юнович, А. Э.
Опубликовано: М. , 1989
Физические характеристики: 27 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr19650640000
005 20230922093227.0
021 # # $a RU  $b [89-7151а] 
100 # # $a 20070517d1989 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Механизмы излучательной рекомбинации, обусловленные примесями в полупроводниковых соединениях типа A³B5 и A4B6  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук  $f МГУ им. М. В. Ломоносова, Физ. фак. 
210 # # $a М.  $d 1989 
215 # # $a 27 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 21-27 (59 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Юнович  $b А. Э.  $g Александр Эммануилович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070517  $g psbo