Исследование и разработка технологии получения высокоэффективных диффузионных P-Π переходов на основе GaAs₄-нР{н.инд.}(x) и GeP: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.17.16)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Эскин, С. М. |
| Опубликовано: | М. , 1979 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||