Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства однотипных (P+-P и P+-P-P+) переходов из антимонида индия, полученных методом жидкофазной эпитаксии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Азерб. гос. ун-т им. С. М. Кирова

Сохранено в:
Шифр документа: 6976/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Эминов, Ш. О.
Опубликовано: Баку , 1985
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr19558020000
005 20220204110744.0
100 # # $a 20070518d1985 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AZ 
200 1 # $a Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства однотипных (P+-P и P+-P-P+) переходов из антимонида индия, полученных методом жидкофазной эпитаксии  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Азерб. гос. ун-т им. С. М. Кирова 
210 # # $a Баку  $d 1985 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15 (6 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Эминов  $b Ш. О.  $g Шихамир Осмат оглы 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070518  $g psbo