Особенности динамики нагрева и моделирования процесса наносекундного импульсного лазерного облучения полупроводников в режимах развитого плавления: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск. ин-т электрон. техники

Сохранено в:
Шифр документа: 179811/92,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Эм, А. С.
Опубликовано: М. , 1992
Физические характеристики: 26 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr19553990000
005 20070517203610.0
100 # # $a 20070517d1992 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Особенности динамики нагрева и моделирования процесса наносекундного импульсного лазерного облучения полупроводников в режимах развитого плавления  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Моск. ин-т электрон. техники 
210 # # $a М.  $d 1992 
215 # # $a 26 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 25-26 (7 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Эм  $b А. С.  $g Александр Семенович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070517  $g psbo