Исследование квантового выхода внутреннего фотоэффекта и ударной ионизации в полупроводниках с узкой запрещенной зоной: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Моск. энерг. ин-т

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ266832,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Щетинин, М. П.
Опубликовано: М. , 1974
Физические характеристики: 10 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr19486920000
005 20070518183503.0
021 # # $a RU  $b [75-2484а] 
100 # # $a 20070518d1974 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование квантового выхода внутреннего фотоэффекта и ударной ионизации в полупроводниках с узкой запрещенной зоной  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f Моск. энерг. ин-т 
210 # # $a М.  $d 1974 
215 # # $a 10 с. 
300 # # $a Список работ авт.: с. 10 (5 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Щетинин  $b М. П.  $g Михаил Прохорович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070518  $g psbo