Исследование квантового выхода внутреннего фотоэффекта и ударной ионизации в полупроводниках с узкой запрещенной зоной: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Моск. энерг. ин-т
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Щетинин, М. П. |
Опубликовано: | М. , 1974 |
Физические характеристики: |
10 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr19486920000 | ||
005 | 20070518183503.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [75-2484а] |
100 | # | # | $a 20070518d1974 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Исследование квантового выхода внутреннего фотоэффекта и ударной ионизации в полупроводниках с узкой запрещенной зоной $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Моск. энерг. ин-т |
210 | # | # | $a М. $d 1974 |
215 | # | # | $a 10 с. |
300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 10 (5 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Щетинин $b М. П. $g Михаил Прохорович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070518 $g psbo |