Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценции: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 155617/92,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Шофман, В. Г.
Опубликовано: СПб. , 1992
Физические характеристики: 19 с. : граф.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr19271740000
005 20070517172540.0
021 # # $a RU  $b [92-3775а] 
100 # # $a 20070517d1992 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценции  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a СПб.  $d 1992 
215 # # $a 19 с.  $c граф. 
300 # # $a Библиогр.: с. 19 (10 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Шофман  $b В. Г.  $g Вадим Григорьевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070517  $g psbo