Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценции: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Шофман, В. Г. |
Опубликовано: | СПб. , 1992 |
Физические характеристики: |
19 с. : граф.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr19271740000 | ||
005 | 20070517172540.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [92-3775а] |
100 | # | # | $a 20070517d1992 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценции $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
210 | # | # | $a СПб. $d 1992 |
215 | # | # | $a 19 с. $c граф. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19 (10 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Шофман $b В. Г. $g Вадим Григорьевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070517 $g psbo |