Температурная зависимость электрофизических параметров полупроводниковых магниточувствительных транзисторов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова

Сохранено в:
Шифр документа: 121767/90СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Шнайдер, И. П.
Опубликовано: Одесса , 1990
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr19232860000
005 20070521141941.0
100 # # $a 20070521d1990 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Температурная зависимость электрофизических параметров полупроводниковых магниточувствительных транзисторов  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Одес. гос. ун-т им. И. И. Мечникова 
210 # # $a Одесса  $d 1990 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-16 (17 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Шнайдер  $b И. П.  $g Иосиф Петрович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070521  $g psbo