Диффузия и явления деградации, обусловленные примесями с глубокими уровнями в полупроводниках A³B⁵: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Шишияну, Ф. С. |
Опубликовано: | Л. , 1978 |
Физические характеристики: |
35 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|