Диффузия и явления деградации, обусловленные примесями с глубокими уровнями в полупроводниках A³B⁵: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ341937,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Шишияну, Ф. С.
Опубликовано: Л. , 1978
Физические характеристики: 35 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr19141060000
005 20070514171707.0
021 # # $a RU  $b [78-17795а] 
100 # # $a 20070514d1978 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Диффузия и явления деградации, обусловленные примесями с глубокими уровнями в полупроводниках A³B⁵  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук 
210 # # $a Л.  $d 1978 
215 # # $a 35 с. 
300 # # $a В надзаг.: Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина. Список работ авт.: с. 33-35 (41 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Шишияну  $b Ф. С.  $g Федор Семенович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070514  $g psbo