Квантовые осцилляции фотомагнитных эффектов в полупроводниках n-InSb и n-InAs при разогреве электронов светом: Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук: (046) / М-во высш. и сред. спец. образования СССР. Моск. инж.-физ. ин-т
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Шепельский, Г. А. |
Опубликовано: | М. , 1970 |
Физические характеристики: |
15 с.
|
Язык: | Русский |
00000cam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr18999550000 | ||
005 | 20180612102356.0 | ||
100 | # | # | $a 20070514d1970 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Квантовые осцилляции фотомагнитных эффектов в полупроводниках n-InSb и n-InAs при разогреве электронов светом $e Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук $e (046) $f М-во высш. и сред. спец. образования СССР. Моск. инж.-физ. ин-т |
210 | # | # | $a М. $d 1970 |
215 | # | # | $a 15 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 14-15 (18 назв.) |
686 | # | # | $a 046 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Шепельский $b Г. А. |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070514 $g psbo |