Исследование гетероэпитаксильных систем типа p-Ge-nn⁺-GaAs и p-Ge-nn⁺-Si: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН УССР. Ин-т полупроводников
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Шварц, Ю. М. |
| Апублікавана: | Киев , 1976 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
17 с.
|
| Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||