Исследование гетероэпитаксильных систем типа p-Ge-nn⁺-GaAs и p-Ge-nn⁺-Si: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН УССР. Ин-т полупроводников
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Шварц, Ю. М. |
| Veröffentlicht: | Киев , 1976 |
| Beschreibung: |
17 с.
|
| Sprache: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||