Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Сиб. отдние, Ин-т физики полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Шварц, Н. Л. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1991 |
| Физические характеристики: |
16 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||