Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Сиб. отдние, Ин-т физики полупроводников

Сохранено в:
Шифр документа: 147542/91,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Шварц, Н. Л.
Опубликовано: Новосибирск , 1991
Физические характеристики: 16 с. : ил.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr18875780000
005 20070511153252.0
021 # # $a RU  $b [91-14121а] 
100 # # $a 20070511d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР, Сиб. отдние, Ин-т физики полупроводников 
210 # # $a Новосибирск  $d 1991 
215 # # $a 16 с.  $c ил. 
300 # # $a Библиогр.: с. 14-16 (13 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Шварц  $b Н. Л.  $g Наталия Львовна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070511  $g psbo