Низкотемпературная фотолюминесценция ионно-имплантированного и термообработанного кремния: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Шахрайчук, Н. И. |
Опубликовано: | Киев , 1990 |
Физические характеристики: |
18 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr18856920000 | ||
005 | 20070511153057.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [90-21922а] |
100 | # | # | $a 20070511d1990 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Низкотемпературная фотолюминесценция ионно-имплантированного и термообработанного кремния $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН УССР, Ин-т полупроводников |
210 | # | # | $a Киев $d 1990 |
215 | # | # | $a 18 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 18 (8 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Шахрайчук $b Н. И. $g Николай Иовович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070511 $g psbo |