Исследование фотоэлектрических свойств арсенида галлия, легированного хромом: (04.10): (Фотоэффект в материале и структурах с потенц. барьером). Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Шапошникова, Т. А. |
Опубликовано: | [Л.] , 1972 |
Физические характеристики: |
15 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr18776390000 | ||
005 | 20070511145135.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [72-28152а] |
100 | # | # | $a 20070511d1972 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Исследование фотоэлектрических свойств арсенида галлия, легированного хромом $e (04.10) $e (Фотоэффект в материале и структурах с потенц. барьером). Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина |
210 | # | # | $a [Л.] $d 1972 |
215 | # | # | $a 15 с. |
686 | # | # | $a 04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Шапошникова $b Т. А. $g Татьяна Андреевна |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070511 $g psbo |