Исследование фотоэлектрических свойств арсенида галлия, легированного хромом: (04.10): (Фотоэффект в материале и структурах с потенц. барьером). Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ194789,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Шапошникова, Т. А.
Опубликовано: [Л.] , 1972
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr18776390000
005 20070511145135.0
021 # # $a RU  $b [72-28152а] 
100 # # $a 20070511d1972 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование фотоэлектрических свойств арсенида галлия, легированного хромом  $e (04.10)  $e (Фотоэффект в материале и структурах с потенц. барьером). Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина 
210 # # $a [Л.]  $d 1972 
215 # # $a 15 с. 
686 # # $a 04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Шапошникова  $b Т. А.  $g Татьяна Андреевна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070511  $g psbo