Падобныя дакументы

• Исследование процессов излучательной рекомбинации в гетеропереходах GaAs-Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As-Al{н.инд.}(y)Ga{н.инд.}(1-y)As и разработка конструкций инжекционных излучателей на их основе: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Л., 1975. - 21 с.
  Аўтар: Мхеидзе, Т. Д.
  Апублікавана: (1975)
• Исследование свойств поверхностно-барьерных GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) и Ga{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As-структур и фотоприемников на их основе: (01.04.01): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН ТССР. Физ.-техн. ин-т. - Ашхабад, 1978. - 20 с.
  Аўтар: Мелебаев, Д.
  Апублікавана: (1978)
• Получение твердых растворов In{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)Sb, тонкопленочных структур на основе Ga{н.инд.}(1-x)Al{н.инд.}(x)As-GaAs-Ge и исследование их свойств для преобразователей солнечной энергии: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук. - Ашхабад, 1982. - 17 с.
  Аўтар: Акмурадов, А.
  Апублікавана: (1982)