Разработка технологии изготовления и исследование свойств позиционно-чувствительных фотоприемников на гетеропереходах Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As-GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ433115СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Чумак, В. А.
Опубликовано: Л. , 1981
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr18616520000
005 20070507202711.0
100 # # $a 20070507d1981 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Разработка технологии изготовления и исследование свойств позиционно-чувствительных фотоприемников на гетеропереходах Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As-GaAs  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Л.  $d 1981 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 19-20 (15 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Чумак  $b В. А.  $g Валентин Александрович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070507  $g psbo