Разработка технологии выращивания многослойных InGaAsP/InP (λ=1,3 мкм) гетероструктур с супертонкими активными областями методом жидкостной эпитаксии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 30723/87СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Чудинов, А. В.
Опубликовано: Л. , 1987
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr18592380000
005 20070507202019.0
100 # # $a 20070507d1987 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Разработка технологии выращивания многослойных InGaAsP/InP (λ=1,3 мкм) гетероструктур с супертонкими активными областями методом жидкостной эпитаксии  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1987 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 16-17 (6 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Чудинов  $b А. В.  $g Александр Васильевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070507  $g psbo