Электрические неустойчивости в структурах на основе халькогенсодержащих полупроводников различной степени упорядоченности: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / Вильн. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Чеснис, А. А. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1990 |
| Физические характеристики: |
35 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr18465200000 | ||
| 005 | 20070503172453.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070503d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a LT |
| 200 | 1 | # | $a Электрические неустойчивости в структурах на основе халькогенсодержащих полупроводников различной степени упорядоченности $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Вильн. ун-т |
| 210 | # | # | $a Вильнюс $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 35 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 31-35 (76 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Чеснис $b А. А. $g Антанас Антанович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070503 $g psbo |