|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr18445960000 |
| 005 |
20070504150453.0 |
| 010 |
# |
# |
$b В пер.
$d 85 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [74-70877]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070504d1974 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$c Энергия
$d 1974
|
| 215 |
# |
# |
$a 231 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 300 |
# |
# |
$a Список лит.: с. 215-229
|
| 345 |
# |
# |
$9 3000 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Галлий, арсенид - Пленки - Получение
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводниковые соединения - Структура
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592.002
|
| 700 |
# |
1 |
$a Черняев
$b В. Н.
$g Владимир Николаевич
|
| 701 |
# |
1 |
$a Кожитов
$b Л. В.
$g Лев Васильевич
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070504
$g psbo
|
