Экситоны, связанные с изоэлектронными примесями в полупроводниках со структурой цинковой обманки: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Черняев, В. В. |
Опубликовано: | Свердловск , 1983 |
Физические характеристики: |
18 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr18445760000 | ||
005 | 20070504150453.0 | ||
100 | # | # | $a 20070504d1983 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Экситоны, связанные с изоэлектронными примесями в полупроводниках со структурой цинковой обманки $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.07) |
210 | # | # | $a Свердловск $d 1983 |
215 | # | # | $a 18 с. |
300 | # | # | $a В надзаг.: Гос. урал. ун-т им. А. М. Горького. Библиогр.: с. 17-18 (8 назв.) |
675 | # | # | $a 621.315.592 |
686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Черняев $b В. В. $g Валерий Викторович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070504 $g psbo |