Электрические и фотоэлектрические свойства GaP, InP МДП структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ482570,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Чарыев, Я.
Опубликовано: Ашхабад , 1984
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr18254300000
005 20070503160541.0
100 # # $a 20070503d1984 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a TM 
200 1 # $a Электрические и фотоэлектрические свойства GaP, InP МДП структур  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a Ашхабад  $d 1984 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН ТССР, Физ.-техн. ин-т 
700 # 1 $a Чарыев  $b Я.  $g Янгибай 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070503  $g psbo