Электрические и фотоэлектрические свойства GaP, InP МДП структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Чарыев, Я. |
Опубликовано: | Ашхабад , 1984 |
Физические характеристики: |
16 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr18254300000 | ||
005 | 20070503160541.0 | ||
100 | # | # | $a 20070503d1984 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a TM |
200 | 1 | # | $a Электрические и фотоэлектрические свойства GaP, InP МДП структур $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
210 | # | # | $a Ашхабад $d 1984 |
215 | # | # | $a 16 с. |
300 | # | # | $a В надзаг.: АН ТССР, Физ.-техн. ин-т |
700 | # | 1 | $a Чарыев $b Я. $g Янгибай |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070503 $g psbo |