Электрические и фотоэлектрические свойства GaP, InP МДП структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Чарыев, Я. |
| Опубликовано: | Ашхабад , 1984 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr18254300000 | ||
| 005 | 20070503160541.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070503d1984 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a TM |
| 200 | 1 | # | $a Электрические и фотоэлектрические свойства GaP, InP МДП структур $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Ашхабад $d 1984 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН ТССР, Физ.-техн. ин-т |
| 700 | # | 1 | $a Чарыев $b Я. $g Янгибай |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070503 $g psbo |