Строение двойного электрического слоя и адсорбция анионов галогенидов на сплаве TI-Ga из различных растворителей: воды, диметилсульфоксида и ацетонитрила: (02.00.05): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Чан Нгок Хай |
| Опубликовано: | М. , 1985 |
| Физические характеристики: |
18 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr18234160000 | ||
| 005 | 20201210142754.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [85-21586а] |
| 100 | # | # | $a 20070503d1985 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Строение двойного электрического слоя и адсорбция анионов галогенидов на сплаве TI-Ga из различных растворителей: воды, диметилсульфоксида и ацетонитрила $e (02.00.05) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук |
| 210 | # | # | $a М. $d 1985 |
| 215 | # | # | $a 18 с. $c граф. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Ин-т электрохимии им. А. Н. Фрумкина |
| 686 | # | # | $a 02.00.05 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Чан Нгок Хай |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070503 $g psbo |