Получение МДП-структур на основе антимонида индия и исследование их электрофизических и фотоэлектрических свойств: Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Чайкин, В. И. |
| Опубликовано: | Киев , 1977 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr18218470000 | ||
| 005 | 20070503140502.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070503d1977 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Получение МДП-структур на основе антимонида индия и исследование их электрофизических и фотоэлектрических свойств $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1977 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a Для служеб. пользования. В надзаг.: АН УССР. Ин-т полупроводников. Библиогр.: с. 15 (13 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Чайкин $b В. И. $g Владимир Иванович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070503 $g psbo |