Центры аннигиляции позитронов в дефектных полупроводниковых кристаллах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ462166,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Цой, А. А.
Опубликовано: Томск , 1983
Физические характеристики: 18 с. : рис.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr18162840000
005 20070503144341.0
100 # # $a 20070503d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Центры аннигиляции позитронов в дефектных полупроводниковых кристаллах  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.07) 
210 # # $a Томск  $d 1983 
215 # # $a 18 с.  $c рис. 
300 # # $a В надзаг.: Том. гос. ун-т. Библиогр.: с. 16-17 (14 назв.) 
675 # # $a 539.124.6 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Цой  $b А. А.  $g Альберт Алексеевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070503  $g psbo