Центры аннигиляции позитронов в дефектных полупроводниковых кристаллах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Цой, А. А. |
Опубликовано: | Томск , 1983 |
Физические характеристики: |
18 с. : рис.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr18162840000 | ||
005 | 20070503144341.0 | ||
100 | # | # | $a 20070503d1983 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Центры аннигиляции позитронов в дефектных полупроводниковых кристаллах $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.07) |
210 | # | # | $a Томск $d 1983 |
215 | # | # | $a 18 с. $c рис. |
300 | # | # | $a В надзаг.: Том. гос. ун-т. Библиогр.: с. 16-17 (14 назв.) |
675 | # | # | $a 539.124.6 |
686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Цой $b А. А. $g Альберт Алексеевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070503 $g psbo |