Математическое моделирование нестационарных электронных процессов в вертикальных и пленарных субмикронных полевых транзисторах на основе GaAs: (05.27.01): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Ин-т общ. физики АН СССР

Сохранено в:
Шифр документа: 87090/88,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Хренов, Г. Ю.
Опубликовано: М. , 1988
Физические характеристики: 13 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr18002240000
005 20070502155415.0
021 # # $a RU  $b [88-18873а] 
100 # # $a 20070502d1988 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Математическое моделирование нестационарных электронных процессов в вертикальных и пленарных субмикронных полевых транзисторах на основе GaAs  $e (05.27.01)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f Ин-т общ. физики АН СССР 
210 # # $a М.  $d 1988 
215 # # $a 13 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 12-13 (8 назв.) 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Хренов  $b Г. Ю.  $g Григорий Юрьевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070502  $g psbo