Получение и исследование инжекционных электролюминесцентных гетероструктур на основе полупроводников типа A²B⁶: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН УССР Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Хоанг Ми Шинь |
| Опубликовано: | Киев , 1976 |
| Физические характеристики: |
24 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr17901200000 | ||
| 005 | 20070502154133.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [76-3988а] |
| 100 | # | # | $a 20070502d1976 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Получение и исследование инжекционных электролюминесцентных гетероструктур на основе полупроводников типа A²B⁶ $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f АН УССР Ин-т полупроводников |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1976 |
| 215 | # | # | $a 24 с. |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 23-24 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Хоанг Ми Шинь |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070502 $g psbo |