Получение и исследование инжекционных электролюминесцентных гетероструктур на основе полупроводников типа A²B⁶: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН УССР Ин-т полупроводников

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ287390,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Хоанг Ми Шинь
Опубликовано: Киев , 1976
Физические характеристики: 24 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr17901200000
005 20070502154133.0
021 # # $a RU  $b [76-3988а] 
100 # # $a 20070502d1976 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Получение и исследование инжекционных электролюминесцентных гетероструктур на основе полупроводников типа A²B⁶  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f АН УССР Ин-т полупроводников 
210 # # $a Киев  $d 1976 
215 # # $a 24 с. 
300 # # $a Список лит.: с. 23-24 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Хоанг Ми Шинь 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070502  $g psbo