Люминесценция ионно-имплантированных широкозонных полупроводниковых соединений GaN и ZnSe: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Хасанов, И. Ш. |
| Опубликовано: | Черноголовка , 1984 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr17788110000 | ||
| 005 | 20070502150851.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070502d1984 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Люминесценция ионно-имплантированных широкозонных полупроводниковых соединений GaN и ZnSe $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.07) |
| 210 | # | # | $a Черноголовка $d 1984 |
| 215 | # | # | $a 20 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Ин-т физики твердого тела, Библиогр.: с. 19-20 |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Хасанов $b И. Ш. $g Ильдар Шамильевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070502 $g psbo |