|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr17778960000 |
| 005 |
20070502151352.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 1 р. 10 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [79-82455]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070502d1979 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a UZ
|
| 200 |
1 |
# |
$a Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
|
| 210 |
# |
# |
$a Ташкент
$c Фан
$d 1979
|
| 215 |
# |
# |
$a 122 с.
$c ил.
$d 21 см
|
| 300 |
# |
# |
$a В надзаг.: АН УзССР, Центр. проект.-конструкт. и технол. бюро науч. приборостроения. Библиогр.: с. 115-121 (221 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 1000 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Легирование
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592.002
|
| 700 |
# |
1 |
$a Харченко
$b В. В.
$g Валерий Владимирович
|
| 701 |
# |
1 |
$a Грейсух
$b М. Р.
$g Моисей Рувимович
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070502
$g psbo
|
