Структура и параметры глубоких электронных и дырочных центров прилипания в халькогенидах цинка: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Хамидов, М. М. |
Опубликовано: | Горький , 1989 |
Физические характеристики: |
18 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|