Структура и параметры глубоких электронных и дырочных центров прилипания в халькогенидах цинка: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского

Сохранено в:
Шифр документа: 144514/89,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Хамидов, М. М.
Опубликовано: Горький , 1989
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr17718410000
005 20070424180823.0
100 # # $a 20070424d1989 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Структура и параметры глубоких электронных и дырочных центров прилипания в халькогенидах цинка  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского 
210 # # $a Горький  $d 1989 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 17 (12 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Хамидов  $b М. М.  $g Марасилав Магомедович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070424  $g psbo