Структура и параметры глубоких электронных и дырочных центров прилипания в халькогенидах цинка: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Хамидов, М. М. |
Опубликовано: | Горький , 1989 |
Физические характеристики: |
18 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr17718410000 | ||
005 | 20070424180823.0 | ||
100 | # | # | $a 20070424d1989 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Структура и параметры глубоких электронных и дырочных центров прилипания в халькогенидах цинка $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского |
210 | # | # | $a Горький $d 1989 |
215 | # | # | $a 18 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 17 (12 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Хамидов $b М. М. $g Марасилав Магомедович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070424 $g psbo |