Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs PO ДГС (λ-0,8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 155595/92,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Фуксман, М. В.
Опубликовано: СПб. , 1992
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr17619490000
005 20070424175755.0
021 # # $a RU  $b [92-1982а] 
100 # # $a 20070424d1992 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Особенности жидкофазного выращивания лазерных InGaAsP/GaAs PO ДГС (λ-0,8 мкм) структур ориентации (100) и лазеры на их основе  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a СПб.  $d 1992 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-16 (5 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Фуксман  $b М. В.  $g Михаил Викторович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070424  $g psbo