Изучение атомных структур поверхностей полупроводников GaAs, GaP, JnSb применительно к проблеме консервации их защитными слоями: Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ351861,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Пантелеев, В. В.
Опубликовано: М. , 1979
Физические характеристики: 22 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr17576670000
005 20070424175336.0
100 # # $a 20070424d1979 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Изучение атомных структур поверхностей полупроводников GaAs, GaP, JnSb применительно к проблеме консервации их защитными слоями  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a М.  $d 1979 
215 # # $a 22 с. 
300 # # $a В надзаг.: Моск. ин-т стали и сплавов. Библиогр.: с. 21-22 (10 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Пантелеев  $b В. В.  $g Валентин Васильевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070424  $g psbo