Получение пленок сегнетоэлектриков на произвольных подложках посредством искусственной эпитаксии и исследование их свойств: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.18) / АН СССР, Ин-т кристаллографии им. А. В. Шубникова

Сохранено в:
Шифр документа: 45873/88СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Панкратов, А. И.
Опубликовано: М. , 1988
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr17562550000
005 20220225084600.0
100 # # $a 20070424d1988 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Получение пленок сегнетоэлектриков на произвольных подложках посредством искусственной эпитаксии и исследование их свойств  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.18)  $f АН СССР, Ин-т кристаллографии им. А. В. Шубникова 
210 # # $a М.  $d 1988 
215 # # $a 21 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 20-21 (13 назв.). Для служеб. пользования 
606 0 # $3 BY-NLB-ar14181336  $a ГРАФОЭПИТАКСИЯ  $2 DVNLB 
686 # # $a 01.04.18  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Панкратов  $b А. И.  $g Александр Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070424  $g psbo