Исследование процессов образования и отжига точечных радиационных дефектов в кристаллах A³B⁵, облученных быстрыми электронами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Памбухчян, Н. Х. |
| Опубликовано: | Тбилиси , 1983 |
| Физические характеристики: |
13 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr17533930000 | ||
| 005 | 20210729102840.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070424d1983 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a GE |
| 200 | 1 | # | $a Исследование процессов образования и отжига точечных радиационных дефектов в кристаллах A³B⁵, облученных быстрыми электронами $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.07) |
| 210 | # | # | $a Тбилиси $d 1983 |
| 215 | # | # | $a 13 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Ин-т физики АН ГССР. Библиогр.: с. 12-13 (9 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Памбухчян $b Н. Х. $g Нуриджан Хачатурович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070424 $g psbo |